Нанотехнологическая магия. Создан мемристор атомарной толщины для сверхплотной памяти
Иллюстративное фото: pixabay.com

Создан "накопитель памяти" толщиной всего в один атом: площадь этого устройства на основе дисульфида молибдена (MoS2) – около 1 кв. нанометра. О технологическом прорыве пишут в журнале Nature Nanotechnology ученые из Техасского университета в Остине.

Читайте нас в Telegram: проверенные факты, только важное

Это мемристор – пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, из-за чего его можно использовать как ячейку памяти ReRAM. Это целый класс энергонезависимой памяти: в основе ее работы лежит эффект управления сопротивлением ячейки.

Смысл в том, что дефект или пустое место в кристаллической (атомарной) структуре вещества замещать атомом металла, что поменяет его проводимость (сопротивление). Долгое время считалось, что токи утечки предотвратят такой эффект для изолирующих слоев нанометровой толщины, и мемристоры таких размеров сделать не удастся.

Читайте также: Нобелевскую премию по физике дали за черные дыры 

Скорость работы подобных мемристоров (атомристеров, как называют их авторы) гораздо выше даже самой современной флэш-памяти, а плотность записи данных на такой накопитель, по данным исследователей из Остина, в 100 раз больше (~25 ТБ/см2).

Нажмите, чтобы увеличить
Нажмите, чтобы увеличить

Гипотетически в некоторых случаях мемристоры смогут заменить транзисторы – полупроводниковые "клапаны", которые при определенной силе тока резко уменьшают сопротивление и пускают ток с вывода-коллектора на вывод-эмиттер.

Нажмите, чтобы увеличить
Нажмите, чтобы увеличить

Еще лет 15 назад мемристоры считались теоретическими объектами, которые невозможно создать.

Сейчас различные компании пытаются применить технологию на практике, в том числе как искусственные синапсы для нейропроцессоров и нейросетей.

Нажмите, чтобы увеличить
Нажмите, чтобы увеличить

Читайте также: Физики узнали давление внутри протона: ошеломляющий показатель